Twitter Facebook
Поиск даташитов Поиск цен и наличия Поиск аналогов Поиск по каталогу

DMG1012T-7

DMG1012T-7
Сообщить об ошибке

Маркировка

DMG1012T-7

Описание

IC MOSFET N-CHAN SOT-523

Производитель

Diodes Inc

Сообщить об ошибке

Характеристики DMG1012T-7

  • Серия
    -
  • Производитель
    Diodes Inc
  • FET Type
    MOSFET N-Channel, Metal Oxide
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Drain to Source Voltage (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
    630mA
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs
    0.74nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds
    60.67pF @ 16V
  • Power - Max
    280mW
  • Тип монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение / Корпус
    SOT-523
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
Полная характеристикаСкрыть

Новости электроники

Еще новости



Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
Всё для радиолюбителя
Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.
radioaktiv.ru
Разместить объявление
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.